«Ангстрем-Т» освоил Trench MOSFET технологию производства силовых транзисторов

Опубликовано 2019-01-25

• 
• АО «Ангстрем-Т»
•  © www.angstrem-t.com

Trench технология позволяет значительно (в 2 … 3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.

Более низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет снизить тепловое рассеивание на канале. При этом ячейка имеет меньший в плане размер для обеспечения протекания через канал сопоставимого по значению тока за счет того, что затвор формируется не в плоскости, как в планарных MOSFET, а в объеме — по стенкам V-образной канавки (trench в переводе канава, впрочем можно и как окоп перевести :) ) в подложке.

Это позволяет создавать более энергоэффективную и компактную элементную базу для создания блоков питания и управления электроприборами. В целом класс Trench MOSFET предназначен коммутации высоких токов при низком напряжении.

В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

Источник https://sdelanounas.ru/blogs/116472/